SK Hynix lanseaza memoriile LPDDR4X-4266 pentru smartphone-uri

SK Hynix a anuntat oficial primele pachete LPDDR4X (LP4X) de 8 GB pentru dispozitivele mobile de generatie urmatoare. Noile cipuri de memorie nu numai ca duc la cresterea performantelor DRAM, ci si la reducerea consumului de energie datorita tensiunilor de intrare / iesire mai scazute (si care au form factor mai mic).

Partile interesate au obtinut deja esantioane de circuite integrate LP Hybrid LPDDR4X, iar primele dispozitive care prezinta noul tip de memorie sunt asteptate sa apara pe piata in urmatoarele luni. Esti interesat de geam sticla protectie telefon? Cele mai bune sunt pe Magazingsm.ro!

LPDDR4X este un nou standard DRAM mobil, care este o extensie a LPDDR4 original si este de asteptat sa reduca consumul de energie al subsistemului DRAM cu 18 ~ 20% in functie de dezvoltatori. Pentru a face acest lucru, LPDDR4X reduce puterea tensiunilor de iesire (tensiunea VDDQ I / O) cu 45%, de la 1,1 V la 0,6 V. LPDDR4X este sustinut de un numar de dezvoltatori SoC mobili.

Primul procesor care suporta noul tip de memorie este Helio P20 de la MediaTek, care a fost anuntat cu aproape un an in urma, iar dispozitivele initiale alimentate de catre acest,chip sunt susceptibile de a ajunge pe piata in prima parte a anului 2017. Un alt SoC care va suporta memorii LPDDR4X este noul model pilot Qualcomm Snapdragon 835, anuntat in Noiembrie anul trecut.

Pachetul LPDDR4X de 8 GB (64 GB) stocheaza patru parti DRAM de 16 GB, care prezinta o rata de transfer a datelor de 4266 MT / s si ofera o latime de banda de pana la 34,1 GB / s atunci cand sunt conectate la un procesor (SoC), utilizand o magistrala de memorie pe 64 de biti.

Pentru solutia LPDDR4X de 8 GB, SK Hynix foloseste un nou pachet BGA de 12 mm × 12,7 mm, care este cu 30% mai mic comparativ cu stivele standard LPDDR4 care se gasesc in form factor de 15 mm × 15 mm. Solutia LPDDR4X de 8 GB a Hynix are o grosime mai mica de 1 mm, pentru a permite stivuirea cu PoP a unui procesor de aplicatii mobil sau a unui dispozitiv de stocare UFS NAND.

Cu alte cuvinte, aceasta noua solutie are dimensiuni mult mai mici decat cele precedente, ceea ce inseamna ca este foarte posibil sa putem vedea mai multa memorie RAM la interiorul smartphone-urilor, in viitorul apropiat.

SK Hynix nu a anuntat cifrele privind consumul exact de energie pentru partile LP4X, dar a confirmat ca reducerea tensiunii de intrare / iesire cu 45%, poate reduce consumul de energie al intregului subsistem de memorie cu aproximativ 20%, fata de un subsistem ipotetic de memorie LPDDR4 normal, care ruleaza la frecventa respectiva in aceleasi conditii.